د ۱۰۶۴ نانومیټره سرکلر ټاپ-هیټ بیم شکل ورکول DOE | د انفراریډ (IR) لیزرونو لپاره Φ50µm فلیټ-ټاپ ځای

د ۱۰۶۴ نانومیټره سرکلر ټاپ-هیټ بیم شکل ورکول DOE | د انفراریډ (IR) لیزرونو لپاره Φ۵۰µm فلیټ-ټاپ ځای ځانګړی انځور

د ۱۰۶۴ نانومیټره سرکلر ټاپ-هیټ بیم شکل ورکول DOE | د انفراریډ (IR) لیزرونو لپاره Φ50µm فلیټ-ټاپ ځای

د بیم شکل ورکولو DOEs فلیټ ټاپ بیمونه رامینځته کوي چې د یونیفورم شدت، په سرحدونو کې د ګړندي لیږدونو، او د پای کارونکي لخوا تعریف شوي شکلونو لخوا مشخص شوي. د دې څو اړخیزوالي له امله، دوی نن ورځ شتون لرونکي ترټولو پراخه کارول شوي توپیر کونکي نظري عناصرو کې درجه بندي کوي.

کټګوري	پیرامیټر	د ځانګړتیاوو
د سیسټم پیرامیټرې	د ډیزاین طول موج [nm]	۱۰۶۴
	د بیم کیفیت (M²)	≤ ۱.۲
	د بیم اندازه (e⁻²) [mm] داخل کړئ	8
	د فوکس ماډل فوکل اوږدوالی [ملي متره]	75
د DOE پیرامیټرې	د DOE پاک اپرچر [ملي متره]	Φ20
	د DOE میخانیکي بهرنۍ قطر [mm]	Φ۲۵.۴ × ۲
	امر	16
د محصول پیرامیټرې	د بیم شکل	سرکلر
	د شکل لرونکي بیم اندازه [µm]	Φ۵۰
	د شکل لرونکي بیم یونیفورمیت (RMS)	> ۹۰٪
	د ټول تفاوت موثریت (e⁻²)	> ۹۰٪

موږ ته بریښنالیک واستوئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

د رڼا د شدت یو ځانګړی ویش په یوه غوره شوي الوتکه کې (معمولا په انفینټي یا د لینز په فوکل الوتکه کې موقعیت لري) د مداخلې اغیزو له لارې تولید کیږي. دا د تفاوت امرونو او د شیانو د واټن انجینر کولو له لارې ممکنه کیږي. اصلي میکانیزم د DOE د مایکرو جوړښت شوي سطحې سره پیل کیږي، کوم چې د لیزر بیم لیږدول شوی مرحله بدلوي، په دې توګه د پیښې څپې ته د مرحلې تعدیل پلي کوي او په څو ترتیبونو کې یې خپروي.

د Φ25.4 ملي میتر بهرني قطر (1 انچ) او د Φ12 ملي میتر روښانه اپرچر سره، دا لوړ فعالیت DOE د معیاري آپټومیخانیکي ماونټونو سره د سمون لپاره ډیزاین شوی پرته له تعدیل څخه. کله چې د 532 nm شنه لیزرونو سره کارول کیږي، دا خام ګاوسین بیم د Φ60 µm فلیټ سر حلقې ته بیا شکل ورکوي چې د تیزو څنډو، یونیفورم شعاع، او لږترلږه شدت سپیکونو لخوا نښه شوی.

د ۱۶ درجې سطحې جوړښت د ۹۰٪ څخه زیات د ټولیز تفاوت موثریت او د ۹۰٪ څخه زیات د RMS یوشانوالی وړاندې کوي، چې دا د پتلو فلمونو، مایکرو ماشین کولو، او طبي وسایلو تولید دقیق پروسس کولو لپاره مناسب کوي.